SiC MOSFET
High-speed switching is possible. In particular, ON resistance is low even at high temperatures, minimizing switching and conduction losses.
The lineup is currently being expanded, optimized for next-generation devices.
18VDrive
Package | VDSS(V) | 1200 | |
ID(A) | Number | ||
TO-247 | 35 | *SCH2080KE(N) | 3 |
Part number with * are under development.
(N) means Nch, and (P) means Pch.
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